Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
ГоловнаПродуктиПромислові аксесуари для розумного модуляТехнічні характеристики модуля пам'яті DDR3

Технічні характеристики модуля пам'яті DDR3

Тип оплати:
L/C,T/T,D/A
Інкотерм:
FOB,EXW,CIF
Хв. Замовлення:
1 Piece/Pieces
Перевезення:
Ocean,Air,Express,Land
  • Опис продукту
Overview
Атрибути товару

Модель №.NSO4GU3AB

Можливість постачанн...

ПеревезенняOcean,Air,Express,Land

Тип оплатиL/C,T/T,D/A

ІнкотермFOB,EXW,CIF

Упаковка та доставка
Одиниці продажу:
Piece/Pieces

4 Гб 1600 МГц 240-контактний DDR3 UDIMM


Історія редакції

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Упорядкування таблиці інформації

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Опис
Небезпека DDR3 SDRAM HENGSTAR (небуффізовані подвійні модулі пам'яті подвійної швидкості подвійного драму-це модулі пам'яті низької потужності, високошвидкісні модулі пам'яті, які використовують пристрої DDR3 SDRAM. NS04GU3AB-це 512 м х 64-бітний два ранги 4 Гб DDR3-1600 CL11 1,5 В SDRAM НЕБЕЗПЕЧНОГО ДІММУ, заснований на шістнадцяти 256 м х 8-бітних компонентів FBGA. SPD запрограмований на стандартну затримку JEDEC DDR3-1600 Час 11-11-11 при 1,5 В. Кожен 240-контактний DIMM використовує золоті контактні пальці. Небекватний DIMM SDRAM призначений для використання в якості основної пам'яті при встановленні в таких системах, як ПК та робочі станції.


Особливості
 Постачання потужності: VDD = 1,5 В (1,425 В до 1,575 В)
VDDQ = 1,5 В (1,425 В до 1,575 В)
800 МГц FCK за 1600 Мб/сек/шпилька
8 незалежний внутрішній банк
 Затримка CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Програмна затримка адитивної затримки: 0, Cl - 2 або Cl - 1 годинник
8-бітне попереднє отримання
 Близька довжина: 8 (переплетення без будь -якого обмеження, послідовного з початковою адресою "000" лише), 4 з tccd = 4, що не дозволяє безшовного зчитування або запису [або на льоту за допомогою A12, або MRS]
bi-креекційні диференціальні дані строб
 ВІДПОВІДАЛЬНА (САМ) калібрування; Внутрішня самомібрування через ZQ (RZQ: 240 Ом ± 1%)
нер закінчення штампу за допомогою штифта ODT
 Середній період оновлення 7,8US при нижчому, ніж TCASE 85 ° C, 3,9US при 85 ° C <TCASE <95 ° C
 Асинхронний скидання
 Здоровна міцність на привідування даних
Topology
pcb: висота 1,18 ”(30 мм)
 ROHS сумісні та без галогену


Ключові параметри часу

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Таблиця адреси

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Описи контактів

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Примітки : Таблиця опису PIN -коду нижче - це вичерпний перелік усіх можливих штифтів для всіх модулів DDR3. Усі перераховані штифти травня не підтримується на цьому модулі. Див. Призначення PIN -коду про інформацію, специфічну для цього модуля.


Функціональна блок -схема

4 Гб, 512MX64 Модуль (2rank of X8)

1


2


Примітка:
1. Куля ZQ на кожному компоненті DDR3 підключений до зовнішнього резистора 240 Ом ± 1%, який прив’язаний до землі. Він використовується для калібрування драйвера припинення та виводу компонента.



Розміри модуля


Вигляд спереду

3

Вигляд спереду

4

Примітки:
1. Усі розміри знаходяться в міліметрах (дюйм); Максимум/хв або типовий (тип), де зазначалося.
2. Толерантність на всі розміри ± 0,15 мм, якщо не вказано інше.
3. Розмірна діаграма призначена лише для довідки.

Категорії продуктів : Промислові аксесуари для розумного модуля

Надішліть листа цьому постачальником
  • *Тема:
  • *До:
    Mr. Jummary
  • *Електронна пошта:
  • *повідомлення:
    Ваше повідомлення має містити від 20 до 8000 символів
ГоловнаПродуктиПромислові аксесуари для розумного модуляТехнічні характеристики модуля пам&#39;яті DDR3
Надіслати запит
*
*

Будинок

Product

Phone

Про нас

Запит

Ми зв’яжемось з вами негайно

Заповніть додаткову інформацію, щоб швидше зв’язатися з вами швидше

Заява про конфіденційність: Ваша конфіденційність для нас дуже важлива. Наша компанія обіцяє не розголошувати свою особисту інформацію будь -якій перевищенні, не вистачаючи ваших явних дозволів.

Відправити